GaN Systems 推出用於消費、工業和資料中心市場的全新 GaN 功率電晶體

氮化鎵功率半導體全球領導廠商 GaN Systems 今天推出了一款全新電晶體產品，在業界最完整的氮化鎵功率電晶體產品組合中再添一筆。 GS-065-018-2-L 具有更低的導通電阻、更高的穩健性和熱性能，以及 850V VDS （瞬態）額定值，能提供客戶更多元的選擇。

此新產品使設計工程師能夠進一步提高產品效率、熱管理能力和功率密度，同時提供設計靈活度和成本效益，滿足消費、工業和資料中心產業客戶的新需求。 該電晶體採用標準 8×8 mm PDFN 封裝，加速初期採用、規模化和商業化的過程。

GS-065-018-2-L 是一款 650V、18A、78 mΩ 底部冷卻的電晶體，非常適用於筆記型電腦和遊戲主機的電源變電器，滿足尺寸及外觀設計上的要求，它也能滿足電視和伺服器 SMPS 所要求的更高的功率密度和效率。 更低的 RDS(on) 代表更低的能源損耗和更高的額定功率，從而帶來更高的效率和功率密度。 此 78 mΩ 電晶體與另外兩款深受業界歡迎的 150 mΩ GS-065-011-2-L 和 50 mΩ GS-065-030-2-L 電晶體的完美互補。 最適合應用領域包括，100W – 800W 消費和工業電源、LED 驅動器、無橋圖騰柱 PFC 電路和電機驅動器。

GaN Systems 全球執行長 Jim Witham 表示，「我們的產品設計不斷進步，使氮化鎵功率電晶體成為功率電子元件的首選。 我們致力於繼續在系統整合和產品創新方面引領產業，幫助我們的客戶將其產品的性能發揮至極限。」