Razer 旗艦電競筆電充電器採用 GaN Systems 氮化鎵功率電晶體

GaN 快充為電競筆電市場帶來突破性的充電性能和創新

氮化鎵功率半導體全球領導廠商 GaN Systems 今天宣佈，Razer (雷蛇) 新款 Blade 17 電競筆電 280W 充電器，採用 GaN Systems 高品質 GaN 功率電晶體，為數百萬名遊戲玩家，數位創作者及任何希望兼具時尚和性能的筆電消費者，提供更強大的電源輸出。

電競筆電市場對產品的設計精細度、性能和外觀不斷提高。Razer 是世界領先的電競電子周邊品牌，透過將先進技術與亮眼外觀設計完美結合，成功建立了品牌地位。Blade 17 配備比以往更強大的處理器，可隨時隨地滿足玩家執行對性能要求極為苛刻的 AAA 等級遊戲。 

Razer Blade 17 筆電比前代產品體積縮小近 25%，這款配備 17.3 吋顯示螢幕的機型，與其他 15 吋筆電外型一樣小巧流線。採用 GaN Systems 氮化鎵功率電晶體，Blade 17 配備的 280W 充電器比前代 230W 充電器外型更小，但輸出功率卻提高 20% 以上，相比傳統的 280W 充電器，體積更縮小 50%。受惠於 GaN 功率半導體，這款全新的 280W 充電器使 Blade 17 更便於攜帶。

Razer 設計人員利用 GaN Systems 功率電晶體的優勢，設計更小，更輕，更強大，更環保的充電器。使用 2 顆 GaN Systems GS-065-030-2-L 氮化鎵強化型功率電晶體，每個電晶體都分別封裝在小體積、高效率的 8×8 mm PDFN 封裝中，以超高開關頻率，實現卓越能源效率和功率密度，兼具性能和成本效益的設計，使 GaN 功率元件成為消費類電子應用的理想選擇。

GaN 的高頻開關頻率能實現更少的被動元件需求，減少如電容器、電感器和變壓器等元件使用，可大幅減少充電器的體積，同時減少稀土元素和塑膠的使用，將進一步幫助 Razer 和其他消費電子品牌實現永續目標。

「電競筆電的功能變得越來越強大，產品外觀也持續朝更薄，更時尚的設計發展，消費市場充電器攜帶便利性也更加重視，」GaN Systems 全球執行長 Jim Witham表示，「我們很高興和 Razer 及全球知名消費電子品牌皆採用 GaN Systems 氮化鎵功率半導體，以滿足像 Blade 17 這樣高階產品對性能表現的需求。」

有關 Razer 280W AC 充電器的更多資訊，請參閱拆解報告。