英飛淩將收購 GaN Systems 擴充氮化鎵產品線 鞏固功率系統領域全球領導地位
GaN Systems 與 Infineon Technologies 共同新聞稿
英飛淩科技股份公司 (Infineon Technologies)（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和氮化鎵系統公司（GaN Systems）聯合宣佈，雙方已簽署最終協定。根據該協定，英飛淩將斥資 8.3 億美元完成此收購案。GaN Systems 是全球領先的科技公司，致力於針對改善能源轉換效率開發氮化鎵功率半導體解決方案。該公司總部位於加拿大渥太華，擁有 200 多名員工。
Infineon CEO Jochen Hanebeck
英飛淩科技全球執行長 Jochen Hanebeck 表示，「氮化鎵技術為打造更加低碳節能的解決方案掃清了障礙，有助於推動低碳化進程。氮化鎵技術在移動充電、資料中心電源、家用太陽能逆變器和電動汽車車載充電器等領域的應用正處於成長關鍵轉捩點。對氮化鎵系統公司的收購，再加上英飛淩自身強大的研發資源、對應用的深刻理解以及成熟的客戶專案規劃，將大幅推進我們氮化鎵技術路線圖。根據公司的戰略，此次收購將進一步增強英飛淩在功率系統領域的領導地位。英飛淩同時擁有矽、碳化矽和氮化鎵三種主要的功率半導體技術。」
GaN Systems CEO Jim Witham
GaN Systems 全球執行長 Jim Witham 表示，「GaN Systems 團隊很高興能與英飛淩合作，實現優勢互補，為客戶提供高度差異化的產品。憑藉雙方在卓越解決方案領域的專業知識和技術專長，我們將充分發揮氮化鎵功率半導體技術的潛力。GaN Systems 代工合作夥伴與英飛淩自身的製造能力相結合，將實現極大的產能增長，推動氮化鎵技術在我們眾多目標市場中的廣泛普及。我對 GaN Systems 迄今為止取得的成就深感自豪，並且非常期待與英飛淩攜手開啟新的篇章。英飛淩是一家技術實力非常深厚的集成器件製造商，能夠幫助我們充分發揮自身潛力，再創輝煌。」
氮化鎵是一種寬能隙材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高頻開關應用中能夠發揮重要作用。憑藉低能耗和小型化的優勢，氮化鎵功率元件的適用範圍極廣。據市場分析機構預測，氮化鎵功率元件為電源應用創造的收入將以 56% 的複合年增長率（CAGR）增長，到 2027 年將達到 20 億美元左右。因此，氮化鎵連同矽和碳化矽一起，配合混合反激（Hybrid Flyback）和多階實施等新型拓撲結構，正逐漸成為功率半導體的關鍵材料。2022 年 2 月，英飛淩宣佈投資 20 多億歐元，在馬來西亞居林建設一座新的前道晶圓廠，以便擴大寬禁帶材料產能，鞏固其市場地位。第一批晶圓將於 2024 年下半年出貨，屆時，英飛淩的寬禁帶材料製造能力將在現有奧地利菲拉赫工廠實現產能飛躍。
這一以「全現金」方式收購 GaN Systems 的計畫將使用現有的流動資金來完成。此次交易還需滿足其他慣例成交條件，包括獲得監管部門批准。
關於英飛淩科技
英飛淩科技是半導體解決方案的全球領導者，提供完整電源系統及物聯網產品及解決方案，推動低碳化及數位化進程。該公司在全球有 56,200 位員工，上個財政年度 (2022) 營收達 €142 億歐元。英飛淩在 法蘭克福證券交易所（股票代碼：IFX）和美國櫃檯交易市場OTCQX International Premier（股票代碼：IFNNY）掛牌上市。
此篇新聞稿同步發佈于英飛淩官網 www.infineon.com/press
