GaN Systems 推出新一代 800V 氮化鎵車載充電器參考設計

氮化鎵車載充電器將打破電動車市場遊戲規則

氮化鎵功率半導體全球領導廠商 GaN Systems 今天在應用電力電子會議 (APEC 2023) 上發表最新 11kW/800V 氮化鎵車載充電器 (On-Board Charger) 參考設計，與採用碳化矽 (SiC) 電晶體產品相比，提高 36% 功率密度，降低至少 15% 整體物料清單 (BOM) 成本。

這款突破性創新 11kW/800V 氮化鎵車載充電器參考設計，採用三階飛跨電容 (flying capacitor) 拓樸，在 AC/DC轉換採無橋圖騰柱功率因數校正 (PFC) 結構，在DC/DC轉換採雙主動橋式結構，在功率密度及總物料成本上與市場做出區隔。三階飛跨電容拓樸中所採用的氮化鎵 (GaN) 電晶體能達到優異的切換頻率，有效減低一半電壓壓力，使 650V GaN 電晶體也能應用於這款或其他 800V 電源系統中。

GaN Systems 800V 氮化鎵車載充電器特點：

• 功率密度較 SiC 高出 36%
• AC/DC 階段最高轉換效率 >99%；DC/DC 階段最高轉換效率 >98%
• 較小總功率耗損
• 極低閘極振鈴現象
• 採用金屬絕緣基板 (IMS) 設計優化熱性能

GaN 功率半導體大幅降低開關功率耗損與耗散，進而提升車載充電器的轉換效率，不僅有助提升電動車充電效率，並兼具成本效益。GaN 極低開關損耗可簡化所需被動元件的數量與散熱系統設計，縮減車載充電器整體尺寸及重量。

「GaN 功率半導體在車用領域的應用版圖正在快速擴張，為市場帶來更有效率、更經濟且更低碳的解決方案，」GaN Systems 全球執行長 Jim Witham 表示，「這款 800V 氮化鎵車載充電器便是一個絕佳案例，我們在系統尺寸、功率密度、成本效益、能源效率、熱性能及碳足跡等各方面的優化， 將為車用領域客戶帶來改變競局的解決方案。」

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