新的高功率密度、高效率充電器參考設計，體積減小 50%，重量減輕 40%，擁有輕薄外型 氮化鎵功率半導體全球領導廠商 GaN Systems 今天宣布推出全新 250W AC/DC 氮化鎵快充參考設計。具有超高功率密度 (16W/in3) 和高達 96% 的峰值效率，這款最新參考設計使 GaN Systems 消費快充解決方案產品組合更加完整，幫助客戶在縮短設計週期的同時推出更小、更輕、更強大和更高效的充電器。 筆記型電腦在現代人工作和日常生活中皆扮演不可或缺的角色。市場對更強資料處理能力、繪圖功能、更好的音訊和其他日新月異的需求，正在推動兼具性能與輕薄尺寸的設計創新。為了滿足這些趨勢，配備的充電器也需要朝更小、更薄、更高輸出功率發展。 這款 250W、19V直流輸出 GaN 消費快充設計解決方案提供完整組裝和測試技術文件，以多模式 PFC 和同步整流半橋 LLC 拓撲設計，採用以 8×8 mm PDFN 封裝的 GS-065-011-2-L 電晶體，提供客戶高性價比的客製設計，同時減少被動元件數量，非常適合商用或電競筆電充電器等應用。 250W 參考設計的主要產品特色： 超薄設計：厚度小於 22 mm 高功率密度：尺寸縮小 50%，16W/in3 峰值效率達 96% 符合 EN55032 B 類 EMI 和 IEC62368-1 安全標準 在 40℃ 環境溫度下運作升溫低於 45℃ 「越來越多的客戶正透過 GaN…