GaN Systems 與 BMW 簽署產能協議
與 GaN Systems 的產能協議對 BMW 供應鏈穩定性扮演關鍵角色。
氮化鎵功率半導體全球領導廠商 GaN Systems 今天宣佈與 BMW 針對高性能車規 GaN 功率電晶體簽訂產能協議，進一步優化相關電動車關鍵功率元件應用的效率及功率密度。
GaN 功率半導體是實現下世代電動車必備的輕、小、高效率等性能的關鍵零組件。 根據與 BMW 的協議條款，GaN Systems 將為 BMW 不同應用的批量生產中提供保證產能，確保車廠供應鏈的穩定性。
「電動車是未來交通的主流，我們很榮幸能以我們創新的設計及生產能力支持 BMW 對創新及永續的承諾，」 GaN Systems 全球執行長 Jim Witham 表示。
BMW 與 GaN Systems 的合作起源於 4 年多前，當時 BMW 的工程師發現 GaN 能有效縮小車載充電器 (on-board charger)、DC-DC轉換器及牽引逆變器的尺寸、重量及物料成本，，進而促成了集團旗下風險投資公司 BMW i Ventures 對 GaN Systems 的投資，幫助 GaN Systems 加速 GaN 功率半導體技術在電動車應用上的認證。
「在 GaN Systems 和 BMW 工程師雙方密切合作下，氮化鎵功率半導體技術方能在汽車批量生產中實現，成就當今市場上最先進的氮化鎵功率電晶體，」BMW i Ventures 的管理合夥人 Kasper Sage 表示， 「隨著電動車逐漸成為主流，關鍵車用半導體元件的需求將持續增加，這樣的趨勢讓 BMW 與 GaN Systems 等供應商的策略合作關係變得更為重要。」
