产品号GS66508B
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评估板GS665MB-EVB
(母板)

GS66508B-EVBDB
(子板)

VDS650 V E-HEMT
IDS30 A
RDS(on)50 mΩ
QG5.8 nC
尺寸(MM)7.1 x 8.5 x 0.5
冷却底部
MR数量250
TR数量3000
MR尺寸16 mm x 7″
TR尺寸16 mm x 13″

GS66508B

650V增强型氮化镓晶体管

GS66508B是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许高电流,高电压击穿和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS66508B是一款底部冷却晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

  • 超低品质因数岛技术®晶片
  • 低电感GaNPX®封装
  • 简单的门极驱动要求(0 V至6 V)
  • 瞬态容错门极驱动(-20 V / + 10 V)
  • 非常高的开关频率(> 10 MHz)
  • 快速和可控的下降和上升时间
  • 反向电流能力
  • 零反向恢复损耗
  • 小尺寸7.0 x 8.4 mm2占板面积
  • 源极检测(SS)引脚用于优化门极驱动
  • 符合RoHS 6标准

应用

  • 高效率的功率转换
  • 高密度功率转换
  • AC-DC转换器
  • 无桥图腾柱PFC
  • ZVS移相全桥
  • 半桥拓扑
  • 同步降压或升压
  • 不间断电源
  • 工业电机驱动器
  • 单相和3相逆变器支路
  • 太阳能和风力发电
  • 快速充电
  • D类音频放大器
  • DC-DC转换器
  • 车载电池充电器
  • 牵引驱动器

评估板:GS665MB-EVB

650 V通用母板

此通用母板可与子板(单独销售)一起使用,以评估整个GaN Systems 650V系列氮化镓晶体管产品。

兼容子板:

  • GS66508B-EVBDB1
  • GS66508T-EVBDB2
  • GS66516T-EVBDB2

评估板:GS66508B-EVBDB1

650 V GaN E-HEMT子板

本产品需要搭配母板(GS665MB-EVB)

GS66508B-EVBDB1子板由两个GaN Systems 650V 增强型氮化镓晶体管(产品号GS66508B)和所有必需的电路组成,包括半桥门极驱动器,隔离电源和可选散热器,以形成功能半桥功率级。 它允许用户轻松评估任何半桥拓扑中的GaN E-HEMT性能,无论是通用母板还是用户自己的系统设计。

  • 作为参考设计和评估工具以及易于进行系统评估的解决方案
  • 垂直安装样式,高度为35mm,适用于大部分1U设计,允许在传统直插式电源电路板中评估GaN E-HEMT
  • 预留电流传感器位置用于开关特性测试
  • 通用外形尺寸和占板面积适用于所有产品

与Analog Devices共同合作,研发出高压隔离驱动器ADuM4121。

评估板:GS-EVB-HB-66508B-ON1

650 V GaN E-HEMT子板

采用安森美半导体控制芯片评估板

该GS-EVB-HB-66508B-ON1全功能半桥 评估板包含NCP51820驱动解决方案及2颗GS66508B氮化镓增强型高电子迁移率晶体管,它使得用户可以方便地对带有NCP51280驱动芯片的氮化镓器件进行评估,是一个非常有性价比的方案。

应用及优势

  • 移动电话,OLED电视,游戏机用AC-DC适配器
  • 数据中心供电电源,光伏逆变器/储能系统
  • 无桥图腾柱功率因数校正, LLC谐振,有源钳位反激,零电压开关
  • QFN4x4 封装的高集成半桥驱动产生超小氮化镓驱动布局
  • 1MHZ频率工作和200V/ns共模抑制比(CMTI)促成基于氮化镓的高功率密度系统设计

与安森美半导体公司合作,高压半桥驱动芯片NCP51820

25毫米X25毫米布局

评估板:GSWP300W-EVBPA

300W, 6.78 MHz EF2类功率放大器,用于无线功率传输

GSWP300W-EVBPA评估板旨在支持和加速无线功率传输系统的创新。300W, 6.78 MHz EF2类功率放大器评估板中采用GS66508B氮化镓晶体管。通过选择不同元器件,评估板的功率等级可以达到1000W。

目标应用包括无线充电和为无人机、机器人、电动工具、电动自行车、自动导引运输车等提供供电。

  • 多种配置——恒流模式或恒压模式
  • 带有电磁干扰滤波器推挽式结构
  • 带/不带电磁干扰滤波器的单端模式
  • 650V / 30A, 50mΩ 氮化镓晶体管
  • 高速GaN驱动器
  • 过温保护

评估板:GS1200BTP-EVB

1.2千瓦高效无桥图腾柱功率因数校正评估板

该评估板展示了采用先进数字控制策略及GaN System公司的氮化镓增强型高电子迁移率晶体管,设计了高效,高功率密度的1.2千瓦无桥图腾柱PFC的性能优势及设计方案

技术亮点

  • “电流连续模式无桥图腾柱PFC评估板
  • 交流输入(85V-264伏)
  • 1.2千万连续功率输出@240V交流输入
  • 600瓦连续功率输出@85伏交流输入
  • 385伏 直流输出,软件输出控制
  • 自适应死区控制
  • 带逐周期电流保护的电流滞环控制,快速瞬态响应和电感电流检测
  • 峰值效率>99%
  • 功率因数>0.99
  • 低总谐波失真 (<3%)"

特性

  • “无风扇运行
  • 自给供电。无需外部辅助源供电
  • 功率双向流动,适合于储能及车载充电系统
  • 采用高集成度的SA4041控制器实现低元器件数量和低BoM成本
  • 通过选择适当的磁件和氮化镓器件可以扩增到10千瓦应用”

与Solantro Semiconductor合作开发,采用SA4041数字处理器

评估板:GSP665x-EVBIMS2

大功率IMS2评估平台

平面铝基板 (IMS)评估平台可用于在大功率应用场合评估GaNPX®底部散热增强型场效应管的电气及散热性能
优化的散热及电气设计为低成本高性能的设计提供了一个很好的设计参考思路

用途及优点

  • 优化散热及机械设计
  • 超低寄生电感,底部散热GaNPX®封装
  • 采用磁场抵消技术减小功率及驱动回路寄生参数
  • 高性能,低电磁干扰开关过程
  • 可扩展的,可并联的GaNPX®封装可适用与100kW应用场合
  • 适用于大功率应用场合的低成本散热方案

平台包含驱动母板和半桥IMS评估板(3千瓦和6千瓦)。母板可驱动单个或两个半桥或一个桥

IMS2 平台驱动母板
GSP665HPMB-EVBIMS2

IMS2 半桥评估板
GSP66508BHB-EVBIMS2
GSP66516BHB-EVBIMS2