产品号GS66508B
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评估板GS665MB-EVB
(母板)

GS66508B-EVBDB
(子板)

VDS650 V E-HEMT
IDS30 A
RDS(on)50 mΩ
QG5.8 nC
尺寸(MM)7.1 x 8.5 x 0.5
冷却底部
MR数量250
TR数量3000
MR尺寸16 mm x 7″
TR尺寸16 mm x 13″

GS66508B

650V增强型氮化镓晶体管

GS66508B是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许高电流,高电压击穿和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS66508B是一款底部冷却晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

  • 超低品质因数岛技术®晶片
  • 低电感GaNPX®封装
  • 简单的门极驱动要求(0 V至6 V)
  • 瞬态容错门极驱动(-20 V / + 10 V)
  • 非常高的开关频率(> 10 MHz)
  • 快速和可控的下降和上升时间
  • 反向电流能力
  • 零反向恢复损耗
  • 小尺寸7.0 x 8.4 mm2占板面积
  • 源极检测(SS)引脚用于优化门极驱动
  • 符合RoHS 6标准

应用

  • 高效率的功率转换
  • 高密度功率转换
  • AC-DC转换器
  • 无桥图腾柱PFC
  • ZVS移相全桥
  • 半桥拓扑
  • 同步降压或升压
  • 不间断电源
  • 工业电机驱动器
  • 单相和3相逆变器支路
  • 太阳能和风力发电
  • 快速充电
  • D类音频放大器
  • DC-DC转换器
  • 车载电池充电器
  • 牵引驱动器

评估板:GS665MB-EVB

650 V通用母板

此通用母板可与子板(单独销售)一起使用,以评估整个GaN Systems 650V系列氮化镓晶体管产品。

兼容子板:

  • GS66508B-EVBDB1
  • GS66508T-EVBDB2
  • GS66516T-EVBDB2

评估板:GS66508B-EVBDB1

650 V GaN E-HEMT子板

本产品需要搭配母板(GS665MB-EVB)

GS66508B-EVBDB1子板由两个GaN Systems 650V 增强型氮化镓晶体管(产品号GS66508B)和所有必需的电路组成,包括半桥门极驱动器,隔离电源和可选散热器,以形成功能半桥功率级。 它允许用户轻松评估任何半桥拓扑中的GaN E-HEMT性能,无论是通用母板还是用户自己的系统设计。

  • 作为参考设计和评估工具以及易于进行系统评估的解决方案
  • 垂直安装样式,高度为35mm,适用于大部分1U设计,允许在传统直插式电源电路板中评估GaN E-HEMT
  • 预留电流传感器位置用于开关特性测试
  • 通用外形尺寸和占板面积适用于所有产品

与Analog Devices共同合作,研发出高压隔离驱动器ADuM4121。

评估板:GSWP300W-EVBPA

300W, 6.78 MHz EF2类功率放大器,用于无线功率传输

GSWP300W-EVBPA评估板旨在支持和加速无线功率传输系统的创新。300W, 6.78 MHz EF2类功率放大器评估板中采用GS66508B氮化镓晶体管。通过选择不同元器件,评估板的功率等级可以达到1000W。

目标应用包括无线充电和为无人机、机器人、电动工具、电动自行车、自动导引运输车等提供供电。

  • 多种配置——恒流模式或恒压模式
  • 带有电磁干扰滤波器推挽式结构
  • 带/不带电磁干扰滤波器的单端模式
  • 650V / 30A, 50mΩ 氮化镓晶体管
  • 高速GaN驱动器
  • 过温保护