GS66516B
650V增强型氮化镓晶体管
GS66516B是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流，高电压和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS66516B是一款底部散热晶体管，可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。
- 超低品质因数（FOM)岛技术®晶片
- 低电感GaNPX®封装
- 简单的门极驱动要求（0 V至6 V）
- 瞬态容错门极驱动（-20 / + 10 V）
- 非常高的开关频率（> 10 MHz）
- 快速和可控的下降和上升时间
- 反向电流能力
- 零反向恢复损耗
- 小尺寸11 x 9 mm2占板面积
- 源极检测（SS）焊盘用于优化门极驱动
- 双门极和源极检测焊盘可实现最佳电路板布局
- 符合RoHS 6标准
- 高效率的功率转换
- 高功率密度的功率转换
- AC-DC转换器
- 无桥图腾柱PFC
- ZVS移相全桥
- 半桥拓扑
- 同步降压或升压
- 不间断电源
- 工业电机驱动器
- 单相和3相逆变器桥臂
- 太阳能和风力发电
- 快速充电
- DC-DC转换器
- 车载电池充电器
- 牵引驱动器
评估板：GSP65RXXHB-EVB
高功率铝基板评估平台
该绝缘金属基板（IMS）评估平台可用于评估高功率应用中绝缘金属基板上GaN PX®E -HEMT的电气和热性能优势。 该平台由母板和单独的半桥绝缘铝基板模块（3kW和6kW）组成。
这个评估板可以配置为12种不同的拓扑结构和操作模式。 IMS评估模块也可以独立购买，用作高功率氮化镓智能功率模块（IPM），与设计人员自己的电路板一起使用，用于系统样机设计。
绝缘铝基板平台母板
GSP65MB-EVB
IMS带有门极驱动器的半桥评估模块
GSP65R13HB-EVB: 650V/13mOhm, 4-7kW
GSP65R25HB-EVB: 650V/25mOhm, 2-4kW
半桥/全桥配置选项
配置选项
评估板：GSP665x-EVBIMS2
大功率IMS2评估平台
平面铝基板 （IMS）评估平台可用于在大功率应用场合评估GaNPX®底部散热增强型场效应管的电气及散热性能
优化的散热及电气设计为低成本高性能的设计提供了一个很好的设计参考思路
用途及优点
- 优化散热及机械设计
- 超低寄生电感，底部散热GaNPX®封装
- 采用磁场抵消技术减小功率及驱动回路寄生参数
- 高性能，低电磁干扰开关过程
- 可扩展的，可并联的GaNPX®封装可适用与100kW应用场合
- 适用于大功率应用场合的低成本散热方案
平台包含驱动母板和半桥IMS评估板（3千瓦和6千瓦）。母板可驱动单个或两个半桥或一个桥
IMS2 平台驱动母板
GSP665HPMB-EVBIMS2
IMS2 半桥评估板
GSP66508BHB-EVBIMS2
GSP66516BHB-EVBIMS2
