GS61008T
100V增强型氮化镓晶体管
GS61008T是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流，高电压和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS61008T是一款顶部散热晶体管，可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。
- 超低品质因数（FOM)岛技术®晶片
- 低电感GaN PX®封装
- 简单的门极驱动要求（0 V至6 V）
- 瞬态容错门极驱动（-20 V / + 10 V）
- 非常高的开关频率（> 100 MHz）
- 快速和可控的下降和上升时间
- 反向电流能力
- 零反向恢复损耗
- 小尺寸7.0 x 4.0 mm2占板面积
- 双门极可实现最佳电路板布局
- 符合RoHS 6标准
- 高效率的功率转换
- 高功率密度的功率转换
- 储能系统
- AC-DC转换器（副边）
- ZVS移相全桥
- 半桥拓扑
- 同步降压或升压
- 不间断电源
- 工业电机驱动器
- 快速充电
- D类音频放大器
- 牵引驱动器
评估板：GS61008P-EVBHF
100V，具有高频GaN驱动器的GaN E-HEMT降压转换器
GS61008P-EVBHF有助于在高性能DC / DC同步降压环境中评估我们的GaN E-HEMT。
专为在高开关速度下实现最佳性能而设计，适用于更小物理尺寸，轻重量和低成本的应用开发的平台。 目标应用包括D类放大器，DC-DC转换，AC-DC转换，无线充电和激光雷达。
- 通用GaN半桥，开环控制
- 世界上最快的开关时间， < 1ns
- 死区时间控制，独立Vcc
- 100V / 90A，7mΩ GaN E-HEMT
- 高速GaN驱动器，能够达到40MHz
