产品号GS61008P
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评估板GS61008P-EVBHF
(具有高频GaN驱动器的降压转换器)
VDS100 V E-HEMT
IDS90 A
RDS(on)7 mΩ
QG12 nC
尺寸(MM)7.5 x 4.6 x 0.51
冷却底部
MR数量250
TR数量3000
TR数量16 mm x 7″
TR尺寸16 mm x 13″

GS61008P

100V增强型氮化镓晶体管

GS61008P是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许高电流,高电压击穿和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS61008P是一款底部冷却晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

  • 超低品质因数岛技术®晶片
  • 低电感GaNPX®封装
  • 简单的门极驱动要求(0 V至6 V)
  • 瞬态容错门极驱动(-20 V / + 10 V)
  • 非常高的开关频率(> 100 MHz)
  • 快速和可控的下降和上升时间
  • 反向电流能力
  • 零反向恢复损耗
  • 小尺寸7.6 x 4.6 mm2占板面积
  • 源极检测(SS)焊盘用于优化门极驱动
  • 符合RoHS 6标准

应用

  • 高效率的功率转换
  • 高密度功率转换
  • 储能系统
  • AC-DC转换器(副边)
  • ZVS移相全桥
  • 半桥拓扑
  • 同步降压或升压
  • 不间断电源
  • 工业电机驱动器
  • 快速充电
  • D类音频放大器
  • 牵引驱动器

评估板:GS61008P-EVBHF

100V,具有高频GaN驱动器的GaN E-HEMT降压转换器

GS61008P-EVBHF有助于在高性能DC / DC同步降压环境中评估我们的GaN E-HEMT。

专为在高开关速度下实现最佳性能而设计,适用于更小物理尺寸,轻重量和低成本的应用开发的平台。 目标应用包括D类放大器,DC-DC转换,AC-DC转换,无线充电和激光雷达。

  • 通用GaN半桥,开环控制
  • 世界上最快的开关时间, < 1ns
  • 死区时间控制,独立Vcc
  • 100V / 90A,7mΩ GaN E-HEMT
  • 高速GaN驱动器,能够达到40MHz

评估板:GSWP100W-EVBPA

100W, 6.78 MHz EF2类功率放大器,用于无线功率传输

GSWP100W-EVBPA评估板旨在支持和加速无线功率传输系统的创新。100W, 6.78 MHz EF2类功率放大器评估板中采用GS61008P 氮化镓晶体管。

目标应用包括无线充电和为笔记本电脑、电动工具、消费电子产品、便携式设备、无人机、自动导引运输车等提供供电。

  • 多种配置——恒流模式或恒压模式
  • 带有电磁干扰滤波器推挽式结构
  • 带/不带电磁干扰滤波器的单端模式
  • 100V / 90A, 7mΩ 氮化镓晶体管
  • 高速GaN驱动器
  • 过温保护