产品号GS-065-004-1-L
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评估板Coming soon
VDS650 V E-HEMT
IDS3.5 A
RDS(on)500 mΩ
QG0.7 nC
尺寸(MM)5.0 x 6.0 x 0.85
散热 底部
MR数量250
TR数量3000
MR尺寸12 mm x 7″
TR尺寸12 mm x 13″

GS-065-004-1-L

650V增强型氮化镓晶体管

GS-065-004-1-L是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS-065-004-1-L是一款5×6毫米 PDFN封装的底部散热晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

  • 超低品质因数(FOM)岛技术®晶片
  • 小尺寸5×6毫米 PDFN封装
  • 简单的门极驱动要求(0 V至6 V)
  • 瞬态容错门极驱动(-20 V / + 10 V)
  • 非常高的开关频率(> 20 MHz)
  • 快速和可控的下降和上升时间
  • 源极检测(SS)焊盘用于优化门极驱动
  • 反向电流能力
  • 零反向恢复损耗
  • 符合RoHS 6标准

应用

  • 电源适配器
  • LED电源驱动
  • 电池快速充电
  • LLC谐振变换器
  • 功率因数校正
  • 家用电器电机驱动
  • 无线功率变换
  • 工业电源