GS-065-004-1-L
650V增强型氮化镓晶体管
GS-065-004-1-L是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流，高电压和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS-065-004-1-L是一款5×6毫米 PDFN封装的底部散热晶体管，可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。
- 超低品质因数（FOM)岛技术®晶片
- 小尺寸5×6毫米 PDFN封装
- 简单的门极驱动要求（0 V至6 V）
- 瞬态容错门极驱动（-20 V / + 10 V）
- 非常高的开关频率（> 20 MHz）
- 快速和可控的下降和上升时间
- 源极检测（SS）焊盘用于优化门极驱动
- 反向电流能力
- 零反向恢复损耗
- 符合RoHS 6标准
- 电源适配器
- LED电源驱动
- 电池快速充电
- LLC谐振变换器
- 功率因数校正
- 家用电器电机驱动
- 无线功率变换
- 工业电源
EVALUATION BOARD: GS65011-EVBEZ
EZDrive™ Open Loop Boost Evaluation Board
The GS65011-EVBEZ evaluation board allows the user to evaluate GaN Systems’ EZDrive™ circuit. EZDrive™ is a low-cost, easy way to implement a GaN driving circuit using a standard MOSFET controller with integrated driver. It is adaptable to any power level, any frequency, and any LLC and PFC controller.
EZDrive™ features and benefits
- Low cost
- Low component count
- Smaller board area
- Universally converts a Si MOSFET controller/driver to drive GaN Systems’ E-HEMTs
- Eliminates the redundant GaN drivers & LDOs of a monolithic integrated drive GaN device
- Controllable turn ON / OFF slew rate for optimizing EMI and efficiency
- GaN E-HEMT footprint compatible with GS-065-008-1-L and GS-065-011-1-L
