产品号GS66506T
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VDS650 V E-HEMT
IDS22.5 A
RDS(on)67 mΩ
QG4.4 nC
尺寸(MM)5.6 x 4.5 x 0.54
散热顶部
MR数量250
TR数量3000
MR尺寸16 mm x 7″
TR尺寸16 mm x 13″

GS66506T

650V增强型氮化镓晶体管

GS66506T是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS66506T是一款顶部散热晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

  • 超低品质因数(FOM)岛技术®晶片
  • 低电感GaNPX®封装
  • 简单的门极驱动要求(0 V至6 V)
  • 瞬态容错门极驱动(-20 V / + 10 V)
  • 非常高的开关频率(> 100 MHz)
  • 快速和可控的下降和上升时间
  • 反向电流能力
  • 零反向恢复损耗
  • 小尺寸5.6 x 4.5 mm2占板面积
  • 双门极可实现最佳电路板布局
  • 符合RoHS 6标准

应用

  • 高效率的功率转换
  • 高功率密度的功率转换
  • AC-DC转换器
  • 无桥图腾柱PFC
  • ZVS移相全桥
  • 半桥拓扑
  • 同步降压或升压
  • 不间断电源
  • 工业电机驱动器
  • 单相和3相逆变器桥臂
  • 太阳能和风力发电
  • 快速充电
  • D类音频放大器
  • DC-DC转换器
  • 车载电池充电器
  • 牵引驱动器