产品号GS61004B
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评估板GS61004B-EVBCD
(用于D类放大器)
VDS100 V E-HEMT
IDS45 A
RDS(on)15 mΩ
QG6.2 nC
尺寸(MM)4.6 x 4.4 x 0.51
散热底部
MR数量250
TR数量3000
MR尺寸12 mm x 7″
TR尺寸12 mm x 13″

GS61004B

100V增强型氮化镓晶体管

GS61004B是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS61004B是一款底部散热晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

  • 超低品质因数(FOM)岛技术®晶片
  • 低电感GaN PX®封装
  • 简单的门极驱动要求(0 V至6 V)
  • 瞬态容错门极驱动(-20 V / + 10 V)
  • 非常高的开关频率(f> 100 MHz)
  • 快速和可控的下降和上升时间
  • 反向电流能力
  • 零反向恢复损耗
  • 小尺寸4.6 x 4.4 mm2占板面积
  • 符合RoHS 6标准

应用

  • 高效率的功率转换
  • 高功率密度的功率转换
  • 企业和网络电源
  • ZVS移相全桥
  • 半桥拓扑
  • 同步降压或升压

评估板:GS61004B-EVBCD

100 V GaN E-HEMT全桥评估板用于D类放大器

GS61004B-EVBCD评估板允许用户使用Peregrine PE29102门极驱动器以全桥配置评估GaN Systems的增强模式 – 高电子迁移率晶体管GS61004B。 该设计针对D类放大器应用进行了优化。 PE29102的输出能够为硬开关应用提供亚纳秒级的切换速度。

  • 氮化镓晶体管工作频率可达100 MHz
  • 晶体管驱动器可达40MHz
  • 最佳的传播延迟
  • 独立Vcc,匹配死区时间
  • 集成的死区时间控制,电阻可调