产品号GS-010-120-1-P
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VDS100 V E-HEMT
IDS120 A
RDS(on)5 mΩ
QG13 nC
尺寸(MM)7.6 x 4.6 x 0.54
散热底部
MR数量250
TR数量3000
MR尺寸16 mm x 7″
TR尺寸16 mm x 13″

GS-010-120-1-P

100V增强型氮化镓晶体管

GS-010-120-1-P是增强型硅基氮化镓晶体管。 氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS-010-120-1-P是一款底部散热晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

  • 超低品质因数(FOM)岛技术®晶片
  • 低电感GaN PX®封装
  • 简单的门驱动要求
  • 瞬态容错门极驱动(-20 / + 10 V)
  • 非常高的开关频率(> 10 MHz)
  • 快速和可控的下降和上升时间
  • 反向电流能力
  • 零反向恢复损耗
  • 小尺寸 7.6 x 4.6 mm2占板面积
  • 尺寸与GS61008P兼容
  • 双门极焊盘可实现最佳电路板布局
  • 符合RoHS 6标准

应用

  • 48V汽车
  • 高效率的功率转换
  • 高功率密度的功率转换
  • 储能系统
  • AC-DC转换器(副边)
  • ZVS移相全桥
  • 半桥拓扑
  • 同步降压或升压
  • 不间断电源
  • 工业电机驱动器
  • 快速充电
  • D类音频放大器
  • 牵引驱动器