应用手册

我们独特的氮化镓(GaN)功率器件系列能够设计出体积更小,成本更低,效率更高的电源系统,从而突破基于硅的传统器件的限制。 我们的应用指南和设计实例将帮助您了解并充分利用氮化镓系统 (GaN Systems)的技术。

文档#标题
GN001基于GaN增强型HEMT的设计
GN002GaNPX®和PDFN封装器件的热设计
GN003高速GaN E-HEMT的测量技巧
GN004氮化镓晶体管的并联设计
GN006GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例
GN007基于RC热阻SPICE模型的GaNPX®和PDFN封装的热特性建模
GN008基于LTSpice的GaN开关损耗的仿真
GN009GaN E-HEMT的PCB布线考虑
GN010氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
GN011GaNPX®封装器件的焊接建议
GN012氮化镓半导体功率器件门极驱动电路设计