产品号GS66508B
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ECAD Model

VDS650 V E-HEMT
IDS30 A
RDS(on)50 mΩ
QG6.1 nC
尺寸(MM)7.0 x 8.4 x 0.51
冷却底部

GS66508B

650V增强型氮化镓晶体管

GS66508B是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许高电流,高电压击穿和高开关频率。 氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS66508B是一款底部冷却晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

  • 超低品质因数岛技术®晶片
  • 低电感GaNPX®封装
  • 简单的门极驱动要求(0 V至6 V)
  • 瞬态容错门极驱动(-20 V / + 10 V)
  • 非常高的开关频率(> 10 MHz)
  • 快速和可控的下降和上升时间
  • 反向电流能力
  • 零反向恢复损耗
  • 小尺寸7.0 x 8.4 mm2占板面积
  • 源极检测(SS)引脚用于优化门极驱动
  • 符合RoHS 3 (6+4)标准

应用

  • AC-DC转换器
  • DC-DC转换器
  • 无桥图腾柱PFC
  • 逆变器
  • 储能系统
  • 车载电池充电器
  • 不间断电源
  • 太阳能和风力发电
  • 工业电机驱动器
  • 家电
  • 激光驱动器
  • 无线电力传输

评估板

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